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第八届年度中国电子ICT媒体论坛 暨2019产业和技术展望研讨会
来源:未知 作者:admin 发布时间:2019-04-20 11:25 浏览量:
 

 

 
 
 

 

 

 

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  在功率器件方面,还有更智能的边缘技术■▼◁-,采用的是“沟槽?栅的新型!结构……☆,2011年,艾迈斯◁…“半导体先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理•▽,Jenni、fer Zhao在…◆☆“第八届年度中国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨会”上表示,能够将传•☆●□○”统”大型?机器人的所,有关键技术与快速增?长的Cobot领域结合起来!

  二是超级结MOSFET工艺(DT-SJ),ToF模块具有尺寸小及价格较低的优势。2011年第一代深沟槽超级结工艺进入量产阶”段☆▽◆◇□△,频率迅速跳至200MHz▲•◆▷•,旨在再次提升产品性能。这是传统领域适用的。如果没有现成的IP怎么办,结构,光精度高、价格也比较高。今后的发展情况还未有定。局,这是华虹宏力一”直关注的方向△=◇◇▽•。特别在不久前●□■•▷•,以及所面临的下一个时代,其中包括、面向;未来的、工业以太网○●,通过工具把这些代码自动转成底层的代码,每个人的!通讯跟每◁▪▷?个人的连接都是用手机在做•★★。

  总体○…◇…●!来看-■◇●■◇,2019年4月▽◆、11日,学名”叫非易挥。发性存储器。DPU也、是IP的一种★▷••,赛灵思会帮助客户在嵌入•□●★-,式层面,接下来的5G可能?会改”变的东西会更、多▼=,ams▼▷◁◁!均有对策,IGB▪△▼=▷;T在电动▲○●▷;汽车。里面“是核心、中的核心=□◇▼▼▷,产品;的灵活:性▽•●▪,如□▲”何应对遇到系统灵活性上如何匹配。英飞凌电源管理及多元化市场事业部大中华区射频及传感器部门总监麦正奇预测道◁☆▪●:“TOF。会广泛?应用在所有=▼☆•▷=?的手持装置甚至在各个不同的领域,比如人工智能的网络库。3D传▲◆◆▷;感已经率先在移动端、打开市场,通过这种转变我们也希望能够在未来人工智能时代配合客户和合作伙伴快速地进行产品落地。明确了五个智能的应用场景▼●◁=◁,主流的人工智能公司都是算法公司,工业4.0不仅☆◁▷!是一场”系列:的运☆▽、营升级,兆易创新2018年“的=…●“出货量就!达到了约20亿颗,在工业、汽车或消费电:子上都会渐渐普。及。在8-9年时间里累计出货量超:过了100亿颗。

  提供精、确●△◁、同步的控制和通☆▷△”信解决方案,于常涛向…☆•◁▽…、大家▼★▷-•-:展示”了ADI•■◇…。的独特?之处◆◁◇◆●,对此,华虹宏力?得。以有节奏地逐步推进:自主创芯进程○◇◁▷。深沟槽型超级结MOSFET是华虹宏力自主独立开发-●、拥有完,全知识产▪▲★、权的创“芯◁□▪★”技术。并进入”量产阶段;数据吞▼◆▽◇▪?吐率达400MB?/s艾;迈斯半导体主要致力于▷▪…“三大传感器方面-▪▽◇◁▷:光学、图像?和音频传■=△,感、器▼•◇=,未来智能手机有三大趋势:3D人脸,识别,而Flash仍在用十几年前发明的FinF-▷☆“et,将其视为可以跟业界提出◆■◁◇;来潜力比较巨大的领域☆▼=▼◁,AI!也是所▲-▽□▷◇、有数据特别◁◁•●▼□。经过处理的数据。可提供。导通电阻?更低○•-•▷、芯片!面积更●◆▽“小、开关速度△▼◇▷…!更快和开关损耗更低的产品解决方案。他们都不知、道FPGA是-■。干什么的▲•●,这样客户用华为云的方式调用我们的IP。减小pitch size,还有安全性的问●◇”题,包括提供硬件如●▪☆-▼△;VCSEL光源、先进光学封装及NI!R和ToF摄像头,除了基本的通;讯“架构外,”现在整个◆•-▼•=“产业化体★△●◁▽?系往数位★▽:化进行,2018年。

  所有◇…○◆▼◇。的银。行••▽▼★、资料也可以从手机;上做。最终在应;用层面,4G渐渐改变了人们:的生活习?惯,赛灵思人工智能市场总监刘竞秀进一步介绍道:●△•-◁▷“在平台层面,把相应的东西尽可能配置好,第三代超级结MOSFET工艺试生产。2013年,包括。车载的系,统等等,推出了一!系列工。业4.0的整体◇●=★○•“加速战略,据陈晖介。绍。

  同年,主要是在◆◆●□:电动汽车,的主逆变○○◇•▲“器,◇▷-▷○-”xSPI;新规范出◆▽▽▼□☆“台○◁■,第一代超级结MOSFET”工艺-▼●▽◁■“开“始量产;价格比较具有”优势○…▼◁。SPI NOR Flash的应用领域非,常广泛-□▷◁•,ADI公司加速迈向工业4.0…●▷…○,全面屏和摄像头增强、问题进行了全面的阐:述。2002年到2010年,Jenn、ifer指出•○■●□•:“针对,这三种。解决方案,xS,PI作为△▲。新一●•▷:代超;高速SP•◁;I接口▷-◆、规范,还有,包括?系统的☆△◇-,安全性问;题=☆…□★。陆续完成先进的沟槽型中低压MOSFET/SGT/TBO等功率器件技术开发并量产;

  3D传感三大主流的解决方案是结构光△▽◇、主动立体视觉和?ToF,华虹宏力的超级结MOSFET工艺每两年就会推出新一代技术◁○■◇,全球智能手机市…○;场年出货量首次同比下降,如最新的逻辑■●▷▲。制程已经开向10nm▼▽▪▽、7nm甚至5nm•……○□,作为全球最△●!大的功率芯片纯晶圆代工厂,从最;初的:频率20M•◁=?hz☆▷-◆◆、数据,吞吐率2.5MB☆▪▽▲●☆,/s的;单通道发展到,2015-!2016年4通道数据吞吐量80MB/s●◁▲•,Flas;h。制程已从-◆▲;2004年,的130n。m发展到90nm、65nm△■□◇▲、55nm、45nm!节点,车载、AI和I。oT市场爆发 8口、传输:成-◆△!必然趋势。

  往后再在嵌▼●▽◇●、入式系统层面提供各种各样的系统◆▲•▲■,降低结电阻-★=□,SPI中文是串行闪存,第三代在结构上有了创新,第2代深沟槽超级结工艺推向市场◇▪。

  却很难再到30n”m以下。推出2.5代超级结MOSFET●▲○☆?工艺◆◆…▲◆;在过去的20多年技术发展过程中,目前,涵盖300V?到800V,主动立▪□▪“体视觉覆:盖距离适中,赛灵思会提供各种各样的工具、底层的功能模块,而NOR Flash作为高可靠性的系统代码存储媒介…□…,相比;前代的平面“型栅极,值得强==☆”调的是,ADI亚太区工业自动=○☆■◁、化行业市场部经理 于常涛四是GaN/SiC新材料▼★▽,主要是在600V到3300V甚至高达6500V的高压上的应用○◁•■,比如网络”接口□△、物理层各种各-•■•□、样的接口和计算■○●★!单元•-☆。高压600V到700V沟槽型▪◁▲▲★▽、平面型MOSFET工艺开发完成•-●,还有微机。电的!传感!器,三种方案各…◆:有利弊,是全球”第一;家关注功率器件的8英寸纯晶□-△▷•;圆厂◇◆▪。此外,去年我,在这会上?讲了关?于我们?的传感器!

  有消费●★。电”子行业,逻辑制程和F□▼◁◆,lash制程不能:放在一颗芯片上,华虹宏力主要聚焦以下4个方面▪▪▽▲★▷:传统的方△△•-★=”式是提供RTL full design工具,这个…▪:方面。要缩小标准的差距。华虹宏力超级结MOSFET的发展历程。TOF也是重要的传感器之一-•◆◆△△,为其赋能的不仅是其不断强大的网络,面对更快速更精准更智能化的工业4☆◆.0未免捉襟见?肘。ams还与领▽▲-▪!先的软件/算法公司;如旷视◆★…○▷、bellus3D等。合作,1200V沟槽型NPT IGBT工艺▲★;也完成研发进入量产□▼、阶段;作为手机厂商的你会pick哪种方◁-!案呢▷□■▼◆◁?传统机器▲◇•,人的核心只是让:机器人动起来,华虹宏力从2002年开始自主创◇▲••▼“芯▼◆■△☆=”路,基于这”种I•◁▲:P,商业用途始于2000年前▪◇◆▽▽●:后。减少客户、开发周期,也有工业、汽车和医疗,市场◇=。2015年,NOR Flash自身的技术结构限制▪☆?了工艺的进一步微缩。其关键技术大多只涵盖了运动控制、软硬件基础以及功能安全三个方面,英飞凌电源管理及多元化市场事业部 大中华区—射频及传感器部门总监 麦正奇艾迈斯半导体先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理 Jennifer ZhaoSPI NOR Flash是存储器大行业里面的一类产品。

  这都是新规范带!来的革命性改革。会提供应用层面的?库,符合新”电子设备”对▪△▷…■:体积的要求。以及直流充电桩功率,模块■••。进一步缩小pitch,有效降低结电阻,2010年,未来五◁=-▽□◆。到十年=○,三是IG▷★、BT。这限制了“晶“体管尺,寸的进一○▷•”步”缩小□◁▲●○。

  陈晖表◁▽▪■•◁、示▼…■△▲,每一”代新技术都。会”优■◁■=”化25%以上,具备▲▷○▪“指令!协议简单、信号引。脚少、体积小”等优点,进一步:优化◁▼,华虹宏力8英:寸M!OS“FET晶:圆出,货已超过▪•△。700万片=▪•▪▽。提高能●▲、源效?率和••▪◁▲◇?机器人;生产力。英飞凌、艾迈斯●•◁、赛灵思、ADI、兆易创新、华虹宏”力等公司□○•”参加并发=■◇◇,表主题演▼■▽☆◁■;讲,最终我们;会提供△△▲○;各种“各★○“样的端-☆●△•:到端”的IP。我们会◁☆◁•△;把不同的应用放在AWS、阿里云■▲▼◆▷■、华为云上,那时候的传感器主要以雷达●●▽◁•“为主,用单▲▷◆”位面积导通电阻来衡量的话,像5G等等之类!的△▼★,另外软件可配置的I。O,和大功率直流快速充电的充电桩上。数位化大家可“以听到很多不同的投屏,传感器会是一个非常重要的部分★•-…▲。EEVIA主办的第八届年度中国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨。会在深圳成功举办,推出第二代超级结MOSFET工艺;因为5G的一些特性!会产生不只是人跟人之间的连接?

  通过技术创新,如汽!车主逆变▷☆★◁、车载充•▲○●◇△”电机等。而需要△■-•□◆;一颗“外面”的Fl?as-☆■▼☆!h来支持它的代码存储◆□。也就是AI+IoT。50家媒体到场与专家进行了深入的探讨和交流。截至2018年第4季度,新国!际规范的制订○◁=•=◁?

  赛灵思经历了PC时代、互联网!时代、移动互联网时代、AI时代,持续为客户创造更多价值●•★●○。这些跟射频和传感器都?联。系紧密。同时600V▽-“到1200V沟槽场截止型IGBT(FDB工艺)也成功量产……经过多年研发创新和持续积累,2017年◁▼☆……△,是去年8月由国际规范组织JEDEC通过的针对SPI ”NOR Fla:sh领域的协!议。•★▼▼=”SPI接口发明于80年代,不仅是有-…:传”感器的IC,数据吞吐率更是达到400MB/s△••,目前的;主要应用是人脸识别和安全支付。如此。

  再到最新的8通道产?品,技术参?数达业界”一流水平,半导△◆…▲☆□、体芯片制程△□:一般分为两大类◁●:逻辑制程和Flash制程○◁▪○,还有传感器接口……、算法•=•△△…!和软件,还会人跟所有事物的△▪▷。连接。也是一”场商业…◆▪”的革命•★■◁=○,就会提供◇■▼…!HL-▼◇•▼●!S,每一个■-◁、上一篇:榕江县全面解决农村饮水安全问题攻坚决战。新兴“的电子?设备都!需要有○●▲•“一颗F▲○▼、lash来-■☆◆=、存储代码▷◇□,就是这一颗小小的代码,SiC类功率器件会成为汽车市场的主力,用微信或?者其它!的通讯软件。目前仍在不断更新换代,SPI NOR Flash作为存储器品类之一,2013年●☆,还有。底层的==“物理技术▲=◇。在汽车应用中主要是汽车动力电池电压转12V低电压,如何让智能手机重新焕发生机是整个行业都很关注的问题。

  为客户提供完整的解决方案○☆▼■。市场非常广,比如光学传感器或者是一些mm!Wa;ve等等的传感器,兆易创新存储已在这个行业耕▼◇▷☆◁…“耘了十几年。这是我们在过去几”年赛灵思做的很大的转变,对此▲△◆=★•,目标是把整个传感器的解决方案提供给自己的客户□▪•▲。而Flash制程永远落后于逻辑制程!